La société suisse Innovative Silicon a mis au point une cellule mémoire sur SOI permettant de stocker plus de 2,5Mbits/mm2 en technologie Cmos 90nm.

Utiliser un effet parasite du SOI pour obtenir une technologie mémoire embarquée beaucoup plus dense que tout ce qui existe. Il ne suffisait pas d’y penser. Il fallait aussi le faire.

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