Deux fabricants japonais viennent de dévoiler des avancées importantes dans la réalisation de transistors de puissance radiofréquences en GaN.

Fujitsu Laboratories a présenté mi-décembre à la conférence IEDM qui s’est tenue à San Francisco aux Etats-Unis quelques détails sur ses développements en matière de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN) destinés aux stations

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