Modélisation du transistor bipolaire intégré 1 : dispositifs au silicium

Le 21/01/2005 à 7:00 par La rédaction

Premier dispositif amplificateur solide et acteur des débuts de l’électronique intégrée, le transistor bipolaire, inégalé sur le plan de la rapidité en charge, est au même titre que le transistor Mos un composant électronique majeur. Ce traité, dont la lecture requiert une culture générale dans le domaine des semiconducteurs, aborde le transistor bipolaire à la

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