Surx0N0y-zzP de Siliconix (Vishay)
Destinés aux applications de conversion d’énergie, ces transistors Mos sont encapsulés dans des boîtiers TO-252 inversés pour mieux dissiper.
Résistance à l’état passant : 3,7 mO à 16 mO
Tenue en tension : 20 V ou 30 V
Charge de grille : 8,5 nC à 34 nC pour une tension de commande de 4,5 V
Rens. : www.siliconix.com
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