FCP11N60, FCPF11N60 Fairchild Semiconductor

Destinés aux alimentations à découpage et aux correcteurs de facteurs de forme, ces transistors Mos de puissance sont dotés d’une région de compensation pour améliorer leur résistance à l’état passant.

Tenue en variation d’intensité : 1 430 A/µs
Résistance à l’état passant : 0,32 O typique
Charge de grille : 35 nC
Boîtiers TO-220 ou TO-220F

Rens. : www.fairchildsemi.com