Transistors Mos de puissance

Le 21/10/2004 à 7:00 par La rédaction

HPA de Philips Semiconductors

Destinés aux applications automobiles, ces transistors Mos de puissance supportent une température de 185°C.

Résistance à l’état passant : 7 mO à 30 mO
Tenue en tension : 30 V à 100 V
Dimensions : 10,4 x 6,73 x 2,38 mm

Rens. :www.philips.com

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