Samsung vient de lancer la production en volume de ce qu’il considère comme la première mémoire Dram en technologie Cmos 90nm. Il s’agit d’une SDram de type DDR ayant une capacité de stockage de 512 Mbits. Fonctionnant sous une tension de 2,5 V elle est disponible en versions 333 MHz et 400 MHz.
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