STMicroelectronics a présenté une nouvelle technologie de Sram, baptisée rSram, qui s’attaque au problème de l’altération du contenu mémoire en présence de particules nucléaires. Toujours plus petits, les transistors de mémoires Sram embarquées deviennent de plus en plus vulnérables à la radioactivité environnante. La modification apportée par ST à la cellule de mémoire Sram standard

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