Le fabricant américain Vitesse Semiconductor revendique un record mondial de rapidité en fonctionnement pour son dernier circuit diviseur de fréquence. Ce circuit diviseur par 2 ou par 4 conçu par BAE Systems et fabriqué par Vitesse avec son procédé de seconde génération VIP-2 à base de transistor à hétérojonction en phosphure d’indium est en effet

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