TSMC développe pour introduction dans la deuxième moitié de l’année prochaine une mémoire non volatile de type MIM (métal isolant métal). Cette mémoire, destinée à être intégrée dans des circuits logiques en technologie Cmos 90 nm, aurait une cellule mémoire beaucoup plus petite que celle des autres mémoires volatiles ou non. Faisant appel à un seul

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