Telle est la performance réalisée par Samsung, premier fournisseur mondial de flash Nand. Il s’agit là d’un prototype fabriqué en Cmos 70 nm sur tranche de douze pouces. La taille de la cellule mémoire est de seulement 0,025 µm2. Pour la première fois, le coréen a fait usage d’une grille en tungstène de 300 angstöms
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
