TS8314 Taiwan Semiconductor
Destiné à la protection de packs d’accumulateurs, ce double transistor Mos canal n miniature est encapsulé dans un boîtier puce à billes.
Résistance à l’état passant : 15 m avec une tension de commande de 4,5 V
Tenue en tension : 20 V
Protection contre les surtensions jusqu’à 4 000 V en décharges électrostatiques
Dimensions : 3,36 mm2et 0,8 mm
…
Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.
