Transistor Mos Canal P

Le 18/03/2004 à 7:00 par La rédaction

TS8405P Taiwan Semiconductor

Encapsulé dans un boîtier à billes, ce transistor canal p miniature améliore à la fois le produit capacité de grille par résistance et le transfert thermique par conduction par rapport aux boîtiers SSOT-6 précédents de la société.

Résistance à l’état passant : 50 m pour une tension de commande de 4,5 V et un courant

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