Basés sur une structure de cellules en bandes, ces transistors Mos de puissance, destinés aux convertisseurs et alimentations secteurs, améliorent leur facteur de mérite en commutation de 21 % à 39 % par rapport aux modèles précédents.
Tenue en tension : 200 V et 500 V
Tenue en courant : 15 A à 20vA
Charge de grille : 20 nC à 42 nC
Résistance série
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
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