S TMicroelectronics complète sa famille MDmesh K5 de Mosfet de puissance avec des éléments combinant les bénéfices d’une technologie à superjonction (avec une structure verticale propriétaire) et d’une tension de claquage drain-source portée à 1 500 V (1 200 V max. auparavant). Caractérisés par un excellent facteur de mérite, soit le produit de la résistance

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