Renesas Electronics vient d’annoncer les premiers pas de la production en série de mémoires flash pour microcontrôleurs dans une technologie de fabrication 16/14 nm.
Ce process SG-MONOS (split-gate metal-oxide nitride oxide silicon) fait appel à des transistors FinFET tridimensionnels, tels que ceux utilisés dans les technologies de pointe chez Intel, Samsung ou encore TSMC. La
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
