STMicroelectronics et le CEA développent la technologie GaN-sur silicium

Le 23/10/2018 à 0:00 par Jacques zzSUEAYGhcIE

Cette coopération vise à développer et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance. La technologie sera transférée du CEA vers une ligne pilote 200 mm de ST à Tours.

S TMicroelectronics et le CEA viennent d’annoncer leur coopération en vue d’industrialiser des technologies « nitrure de gallium sur silicium » (GaN-on-Si) pour circuits

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