Pour ce faire, l’américain compte investir jusqu’à 1 milliard de dollars dans la filière SiC sur une période de cinq ans.
A fin de booster sa capacité de production de matériaux et de tranches de carbure de silicium de diamètre 200 mm, Cree compte investir 1 milliard de dollars sur cinq ans. Il s’agit là
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
