Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à quatre broches. Par rapport à un TO-247N à trois broches, une réduction jusqu’à 35% des pertes de commutation est envisageable.
R ohm annonce la disponibilité de six Mosfet en carbure de silicium, avec une structure de grille en
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
