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DOUBLE MOSFET SiC

Le 09/04/2021 à 0:00 par La rédaction

Ce double Mosfet 3 300 V en carbure de silicium supporte des courants de 800 A.

• Température maximale : 175 °C

• Boîtier à liaisons en argent fritté

• Isolation jusqu’à 6 000 VRMS

• Pertes en commutation : 240 à 250 mJ

Réf. MG800FXF2YMS3 Fab. Toshiba Electronics Rens. www.toshiba.semiconstorage.com

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