TRANSISTOR IGBT À DIODE SCHOTTKY SiC

Le 09/04/2021 à 0:00 par adminElectro

Ciblant l’automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC), ce module 650 V est constitué d’un IGBT Trenchstop 550 A et d’une diode Schottky en carbure de silicium.

• Rendement maximal : 95 à 97 %

• Pertes en découpage réduites de 30 % par rapport aux montages silicium

Réf. CoolSiC

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