Le Coréen Samsung vient d’introduire ce qu’il considère comme le boîtier mémoire le plus dense jamais réalisé dans l’industrie. Destiné aux terminaux 3G, ce module multi-puces intègre en effet 2 Gbits de mémoire flash NAND et 512 Mbits de Dram de type mobile donc à faible consommation. Il est constitué de l’empilage de quatre puces : 2 puces

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