Couverture ElectroniqueS n°127

Cette édition 2004, qui aura battu tous les records d'affluence, a été faste pour le semiconducteur avec quantité de nouveaux produits, notamment des processeurs d'applications dotés d'accélérateurs graphiques 3D, des transceivers RF et des amplificateurs de puissance miniatures. A l'instar de la précédente, cette nouvelle mouture du 3GSM World Congress aura été une excellente cuvée pour le semiconducteur avec pléthore d'annonces en tous genres. Les grandes tendances perçues l'an dernier restent peu ou prou similaires. Ainsi la miniaturisation des frontaux d'émission-réception RF et des amplificateurs de puissance se poursuit. Et l'on aura noté dans ce domaine de réelles améliorations par rapport à l'existant. Ensuite, en attendant que les belles promesses de l'UMTS se concrétisent, l'Edge initialement perçu comme une curiosité, tire son épingle du jeu. De fait, la plupart des fabricants de circuits ont ajouté cette technologie à leur tableau de chasse.Quant à la gestion système de la consommation, elle se pose avec acuité, eu égard à l'essor des fonctions multimédias dans des radiotéléphones, qui se métamorphosent progressivement en appareils multi-usages.Cette politique du multimédia à outrance, concrétisée par l'avènement des smartphones, exige des processeurs performants et richement dotés de c&oelig;urs et d'accélérateurs en tous genres.Dans ce domaine, Texas Intruments divulguait la seconde génération de ses processeurs d'applications OMAP pour radio-téléphones 2.5 et 3G. Les deux premiers représentants en seront les OMAP2410 et OMAP2420 échantillonnés en fin de semestre. Ceux-ci bénéficieront d'un procédé Cmos 90 nm et seront fortement orientés multimédia et jeux. Pour ce faire, les nouveaux venus s'appuient sur un c&oelig;ur Risc Arm1136JF-S à 330 MHz, un DSP programmable C55x cadencé à 220 MHz, un contrôleur DMA sophistiqué et sur un accélérateur graphique 2D/3D capable de traiter jusqu'à deux millions de polygones par seconde. Le processeur OMAP2420, le plus évolué des deux, sera en sus doté d'un accélérateur pour la vidéo et la photo (capture d'image jusqu'à 4 Méga-pixels), d'un encodeur décodeur vidéo (définition CIF ou VGA) et disposera d'une sortie TV externe. Chacun de ces processeurs OMAP 2 se verra affublé d'un circuit compagnon référencé TML92230 prenant en charge la gestion de l'énergie.Quant à nVidia, il fait une entrée remarquée sur le marché de la radiotéléphonie mobile avec deux processeurs d'applications actuellement en production. Les GoForce 3000 et GoForce 4000, déjà retenus par Mitsubishi pour ses futurs téléphones, offrent des fonctions de capture et de traitement photographique et vidéo avancées grâce à la présence de codeurs-décodeurs Jpeg et Mpeg matériels. Les imageurs jusqu'à 2 millions (GoForce 2000) ou 3 millions de pixels (GoForce 4000) sont pris en charge avec un zoom numérique 8x. Par ailleurs, le moindre des atouts des deux processeurs n'est pas de mettre à profit la technologie nPower pour une consommation d'énergie très basse.Ampli de puissance : la miniaturisation avant toutL'édition précédente du 3GSM World Congress avait été riche de communiqués en matière d'amplificateurs de puissance, cette nouvelle édition l'aura été tout autant. Ainsi, RF Micro Devices, leader du domaine, annonçait l'échantillonnage, pour une production en volume cet été à moins de 3 $ par 10 000 pièces, du dernier-né de la famille « PowerStar ». Le RF3177 est un module multipuce de 10 x 9 x 1,5 mm pour terminaux GSM/GPRS classe 12 intégrant un PA quadribande en technologie HBT GaAs, avec sa boucle de contrôle de la puissance émise, mais également les filtres ainsi que le commutateur d'antenne pHemt et son décodeur associé. Ce dernier ensemble délivre quatre ports indépendants pour les voies de réception GSM 850, EGSM 900, DCS 1800 et PCS 1900. Aucun élément externe d'adaptation à 50 O n'est requis, tant en entrée qu'en sortie. Tout ceci contribue à fortement simplifier la réalisation de la partie émission, en ce sens que le concepteur se voit notamment déchargé de la tâche consistant à adapter le PA au commutateur d'antenne. Sous 3,5 V, la puissance émise par le RF3177 est de +33,5 dBm en mode GSM et de +30,5 dBm en mode DCS/PCS. Les rendements en puissance ajoutée du PA sont alors de 63 et 57 %. Les pertes d'insertion dans les voies réception sont de 1 ou 1,2 dB, respectivement dans les bandes basse (850 MHz, 900 MHz) et haute (1 800 MHz, 1 900 MHz).Par ailleurs l'américain a démarré la production d'un module d'amplification quadribande GSM/ GPRS compatible Edge, dont l'encombrement est de seulement 30 mm2, pour une épaisseur de 1,5 mm. La société a fait usage d'un substrat laminé haute densité à quatre couches, a priori peu onéreux. Ce module, retenu par un fabricant de terminaux de renom, inclut l'étage de puissance à transistors GaAs HBT et la fonction de détection de puissance, éliminant de la sorte coupleur, diodes et quelques passifs externes.Pour sa part, SiGe Semiconductor a ajouté un membre à sa famille d'amplificateurs « Power-Charger », le SE5120 en petit boîtier QFN 8 broches de 3 x 3 x 0,9 mm. Conçu pour les applications W-CDMA dans la bande 1 920 à 1 980 MHz, ce circuit est fabriqué en BiCmos SiGe par IBM. Il est formé de trois étages d'amplification et développe une puissance de +28 dBm, avec une linéarité de -36 dBc et un rendement de 40 %. Toute la circuiterie de polarisation, de contrôle de gain, de protection thermique et contre les désadaptations est intégrée au SE5120. Ce dernier est proposé à 1,5 $, prix unitaire par 100 000 pièces.Toujours pour les applications W-CDMA, Anadigics levait le voile sur une nouvelle série de trois modules de puissance HBT InGaP. D'un côté, les AWT6251 et AWT6252 sont deux modules de 4 x 4 x 1,5 mm se différenciant selon la bande de fréquences couverte : 1 850 à 1 910 MHz pour le premier destiné au marché américain, 1 920 à 1 980 MHz (IMT-2000) pour le second à destination de l'Europe. Avec une tension de référence de 2,85 V, ces deux amplificateurs sont optimisés pour s'accorder aux chipsets MSM6000 ou MSM6250 de Qualcomm. Ils délivrent +27,5 dBm sous 3,4 V et, à ce niveau de puissance, les rendements sont de 37 % pour l'AWT6251 et de 39 % pour l'AW6252.De l'autre, le CHP2299 supporte la bande IMT-2000 et offre en sus une fonction CAG. Son rendement est de 40 % à +27,5 dBm sous 3,4 V et de 18 % à +16 dBm sous 1,8 V. Il est présenté en boîtier compact de 3 x 3 x 1 mm et ne requiert aucun composant passif externe, si ce n'est les condensateurs de découplage.Tous les produits indiqués sont actuellement échantillonnés et seront commercialisés aux alentours de 2,95 $ par 10 000 pièces.

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