Le premier produit GaN de l’américain est un transistor de 400 W crête destiné aux stations de base W-CDMA et LTE. Parallèlement, la société diversifie son offre en matière de composants de puissance Ldmos.

F ort d’un leadership en matière de solutions d’amplification RF à destination des infrastructures cellulaires, Freescale Semiconductor a dévoilé son premier

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