Lors de la conférence ISSCC qui s’est tenue mi-février à San Francisco, des universitaires de San Diego ont présenté une architecture d’amplificateur appliquée à un procédé de fabrication de semiconducteurs silicium germanium, avec des performances records. Ce n’est pas tant la fréquence de fonctionnement de 100 GHz que le niveau de gain obtenu à cette fréquence,

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