Cree présente une tranche de SiC de 100mm sans défauts

Le 24/05/2007 à 14:04 par Youssef Belgnaoui

Le spécialiste américain des semiconducteurs composés Cree Research vient de présenter une tranche de carbure de silicium de 100mm de diamèt…

Le spécialiste américain des semiconducteurs composés Cree Research vient de présenter une tranche de carbure de silicium de 100mm de diamètre exempte des microdéfauts qui caractérisent en général ce type de tranches et limitent

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap