Nec Electronics vient d’introduire une technologie MIM (métal isolant métal) pour l’intégration de mémoires Dram en Cmos 90 nm. Cette technologie, appelée MIM2, met en œuvre un diélectrique fort k en oxyde de zirconium (ZrO₂). Une bibliothèque de cellules Dram enfouies compatibles avec la famille de circuits précaractérisés 90 nm du Japonais sera disponible en

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