Des flash NAND 16 Gbits chez SanDisk et Toshiba au deuxième trimestre

Le 25/01/2007 à 14:04 par Françoise Grosvalet

Après Samsung, SanDisk et Toshiba s’apprêtent eux aussi à échantillonner des mémoires flash NAND 16Gbits en technologie Cmos avancée (56nm d…

Après Samsung, SanDisk et Toshiba s’apprêtent eux aussi à échantillonner des mémoires flash NAND 16Gbits en technologie Cmos avancée (56nm dans leur terminologie). Ces mémoires à cellules multiniveaux (MLC) seront disponibles en volume dans

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