Intel a fabriqué expérimentalement un transistor en technologie 45 nm faisant appel à une combinaison inédite diélectrique de grille fort k et grille métallique permettant de diviser par 100 les courants de fuite.

Les chercheurs d’Intel viennent d’annoncer avoir identifié de nouveaux matériaux pour remplacer ceux utilisés depuis plus de 30 ans dans la fabrication des

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