Dissipation thermique : résistance à l’état passant record pour transistor MOS 20 V

Le 07/05/2009 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant américain Vishay Siliconix revendique une résistance à l’état passant record dans l’encombrement d’un boîtier SO-8 pour le transistor Mos canal p d’une tenue en tension de 20 V qu’il vient d’introduire. Référencé Si7137DP, ce transistor est spécifié pour 1,9 m avec une tension de commande de 10 V et de 2,5 m pour une tension de commande

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