Double transistor de puissance

Le 13/12/2007 à 0:00 par La rédaction

KMB4D8DN55Q de KEC

Destiné aux applications de gestion d’énergie, ce transistor Mos de puissance associe deux puces dans un même boîtier.

Tenue en tension : 55 V
Tenue en courant : 4,8 A
Résistance à l’état passant : 38 mO typique, 50 mO maximum
Capacité de grille : 805 pF
Boîtier SO-8

Rens. : www.keccorp.com

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