Double transistor Mos

Le 04/11/2004 à 7:00 par La rédaction

FDC6000NZ de Fairchild Semiconductor

Ce composant regroupe dans un boîtier SuperSot-6 deux transistors Mos canal n destinés à réaliser la fonction de commutateur de pack d’accumulateurs.

Tenue en puissance : 1,6 W
Tenue en courant : 7,3 A
Dimensions : 3 x 3 x 0,8 mm

Rens. : www.fairchildsemi.com

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