Dram : Hynix et ProMOS s’allient

Le 01/02/2005 à 0:00 par La rédaction

Hynix Semiconductor et ProMOS Technologies ont signé un accord à long terme afin de produire des mémoires Dram sur tranches de 300 mm. Il s’agit là du second accord conclu entre le coréen et le taïwanais. Le premier, qui date de septembre 2004, portait sur une technologie d’empilage de puces mémoire.

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