Echantillonnage d’un transistor Mos SiC dès cet année !

Le 10/03/2006 à 14:18 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant japonais Rohm vient de dévoiler les performances d’un transistor Mos de puissance en carbure de silicium. Ce transistor, conçu p…

Le fabricant japonais Rohm vient de dévoiler les performances d’un transistor Mos de puissance en carbure de silicium. Ce transistor, conçu pour supporter une tension de 900V, est caractérisé par une résistance de

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