Le japonais prépare une puce mémoire flash de type V-Nand à 48 couches, tout en lançant un boîtier à 16 puces Nand empilées par liaisons traversantes TSV.
P endant qu’Intel et Micron claironnent leurs avancées supposément révolutionnaires, que SK Hynix annonce ses premières Nand verticales (V-Nand) pour ce trimestre et que Samsung capitalise sur son
…