La jeune pousse allemande développe une technologie de cellule mémoire ferroélectrique basée sur l’oxyde d’hafnium et annoncée comme plus simple à produire et plus performante que les Fram actuelles.

L es mémoires flash tiennent toujours le haut du pavé dans le secteur des mémoires non volatiles, mais l’industrie des semi-conducteurs continue de rechercher des technologies

…