IBM et Chartered Semiconductor viennent d’étendre l’accord de développement technologique signé en novembre 2002 à la technologie Cmos 45 nm sur substrat silicium massif de 300 mm de diamètre. Le terme de cet accord a été repoussé à juin 2008. Les travaux communs continueront de se dérouler sur le site d’IBM à East Fishkill.
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