L’américain et ses partenaires Samsung et Globalfoundries développent un process 5nm exploitant non plus des transistors FinFET, mais une nouvelle structure de transistors plus facilement personnalisables.

M oins de deux ans après avoir annoncé leur premier prototype de circuit intégré en technologie 7 nm, IBM, ses partenaires Globalfoundries et Samsung et leurs fournisseurs d’équipements, viennent

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