Silicium contraint sur isolant (SSDOI) et substrat à orientation cristalline hybride permettent d’envisager des circuits de 40 % à 65 % plus performants que la normale à génération technologique donnée.
Des chercheurs d’IBM ont réussi à fabriquer expérimentalement le premier transistor en silicium contraint directement sur isolant (SSDOI, pour strained silicon directly on insulatordans la terminologie
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
ANNONCÉ COMME PLUS ÉCONOMIQUE QUE LES TECHNOLOGIES SIGFOX ET LORA, CE FORMAT DE RÉSEAUX LOCAUX MESH À FAIBLE CONSOMMATION CONVIENT…
UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
