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INFINEON AMÉLIORE LE FACTEUR DE MÉRITE DE SES DIODES SCHOTTKY 650V EN SiC

Le 20/10/2017 à 0:00 par Philippe Dumoulin

A veclafamilleCoolSiC G6, Infineon Technologies introduit sa sixième génération de diodes Schottky en carbure de silicium. Ces diodes de 650 V sont le complément des familles CoolMOS 7 de Mosfet à superjonction de 600V et 650V de l’allemand.

Adoptant une nouvelle structure cellulaire, les diodes CoolSiC G6 affichent une tension directe (V F ) limitée

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