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Infineon fait rentrer le SiGe:C dans la plage des 10 GHz

Le 01/09/2005 à 12:30 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant allemand de semiconducteurs Infineon vient de dévoiler une amélioration significative de son procédé de fabrication de transist …

Le fabricant allemand de semiconducteurs, Infineon, vient de dévoiler une amélioration significative de son procédé de fabrication de transistors HBT en silicium germanium et carbone, SiGe:C, lui permettant de monter encore plus haut en fréquence. Le

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