L’arrivée du GaN dans les stations de base 3G va être accélérée

Le 09/03/2005 à 7:00 par Youssef Belgnaoui

Le Français Soitec vient de réaliser avec sa filiale Picogiga et le CEA-Leti un transfert de film monocristallin de nitrure de gallium sur substrat isolant.

Obtenue grâce à la technologie Smartcut de Soitec, ce substrat GaN sur isolant permettrait de s’affranchir pour certains composants comme les diodes électroluminescentes ou les transistors de puissance des limitations

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap