Cette réalisation permet d’envisager la fabrication de transistors RF avec les performances du substrat GaN, mais des coûts guère plus élevés que ceux du silicium.

L’institut de recherche européen Imec a réussi à fabriquer des transistors Hemt en nitrure de gallium (GaN) par croissance sur des tranches de silicium de 150 mm de diamètre.

Une telle

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