Des chercheurs du laboratoire SiCLab de l’université du New Jersey viennent de présenter une diode en carbure de silicium haute tension 1,7 kV/6,6 A dont les pertes ont été réduites. Plus exactement ce composant expérimental cumule les avantages d’une diode PIN, supportant une tension élevée avec un faible courant de fuite en inverse, avec ceux d’une diode
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