Samsung a développé une mémoire flash de 2Gbits caractérisée par un débit en lecture de 108Mo/s et une vitesse d’écriture de 17Mo/s. Cette m…
Samsung a développé une mémoire flash de 2Gbits caractérisée par un débit en lecture de 108Mo/s et une vitesse d’écriture de 17Mo/s. Cette mémoire flash OneNAND, qui combine un réseau mémoire
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
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