Alors que Samsung vient de présenter le premier prototype de mémoire flash NAND de 8 Gbits (voir notre numéro du 30 septembre),Renesas Technology, qui utilise, lui, une structure de cellule un peu différente, annonce ce qu’il considère comme la flash 4 Gbits la plus rapide du marché. Cette mémoire, à cellules dites AG-AND, est caractérisée par un

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