La mémoire sur SOI double la densité de la Dram embarqué

Le 01/03/2005 à 0:00 par Philippe Dumoulin

En exploitant l’effet parasite dit de « corps flottant » qui siège naturellement dans les circuits SOI, Innovative Silicon est parvenu à réaliser des mémoires respectivement cinq et deux fois plus denses que les Sram et les Dram embarquées actuelles.

Dans les systèmes sur une puce (SoC) ou les processeurs, la capacité mémoire embarquée ne cesse de

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