Une conductivité de 24 W/(cm.K), une bande passante de 5,5 eV, un champ de claquage de 20 MV/cm, une mobilité des porteurs à l’état pur de 2 2 4 500 cm /(V.s) pour les électrons et de 3 800 cm2/(V.s) pour les trous… Autant de propriétés physiques qui font potentiellement du diamant synthétique un semiconducteur unique pour des applications à
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