Le Mos canal p mesure moins de 0,4mm d’épaisseur

Le 06/11/2008 à 12:19 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance Fairchild Semiconductor vient de présenter pour les applications de gestion d’énergie…

Le fabricant américain de semiconducteurs de puissance Fairchild Semiconductor vient de présenter pour les applications de gestion d’énergie portable un transistor Mos canal p encapsulé dans un boîtier puce miniature. Ce boîtier mesure en effet 1×1,5×0,4mm. Référencé

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