Le SiGe sied aux amplificateurs rapides

Le 03/02/2005 à 7:00 par Frédéric Rémond

Texas Instruments tire profit de sa technologie BiCmos 0,35 µm SiGe sur SOI pour un amplificateur différentiel combinant rapidité et précision.

Marché en pleine expansion(*)sous l’impulsion des télécoms, de la vidéo et de l’industriel, le secteur des amplificateurs rapides requiert des technologies de fabrication taillées quasiment sur mesure, tant les caractéristiques de ces composants

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